Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVBLS1D1N08H

MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
NVBLS1D1N08H

NVBLS1D1N08H Hakkında

NVBLS1D1N08H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj sınırlaması ile 41A (Ta) / 351A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.05mOhm (maksimum) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerSFN yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 311W (Tc) güç tüketebilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen bu transistör, 166nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Ta), 351A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11200 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-HPSOF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 650µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok