Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVBGS1D2N08H

T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NVBGS1D2N08H

NVBGS1D2N08H Hakkında

NVBGS1D2N08H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine sahip olan bu bileşen, 43A sürekli dren akımı ve 1.34mΩ kapalı durumda direnç değeriyle çalışır. D²Pak (TO-263-7) paket türünde sunulan komponent, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarında güç anahtarlama, motor kontrol, LED sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama işlemleri ve düşük ısıl direnç gerektiren uygulamalara uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Ta), 290A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10830 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.34mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 650µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok