Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1 Hakkında
NVBG160N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. 19.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında yüksek gerilim anahtarlaması görevini gerçekleştirir. 224mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Maksimum 136W güç dağıtım kapasitesi ve -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-8) Surface Mount paketlemesi ile kompakt tasarımlar mümkün kılar. Güç dönüştürücüleri, invertörler ve motor sürücülerinde tercih edilen yüksek verimli bir transistör.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.8 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 678 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok