Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVBG060N090SC1

MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NVBG060N090SC1

NVBG060N090SC1 Hakkında

NVBG060N090SC1, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET'tir. D²Pak (TO-263-8) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 5.8A sürekli drenaj akımı ve 15V kapı geriliminde 84mOhm maksimum Rds(on) değerleri sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 211W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 88nC kapı yükü ve 1800pF input kapasitesi, kontrollü anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 450 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 20A, 15V
Supplier Device Package D2PAK-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +19V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok