Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVBG045N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVBG045N065SC1
NVBG045N065SC1 Hakkında
NVBG045N065SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 62A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum on-direnci (18V gate geriliminde, 25A drenaj akımında) ile düşük kayıp işletme sağlar. D²Pak (TO-263-8) surface mount paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 242W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrolü, elektrik şebeke uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 325 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 242W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok