Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVBG040N120SC1
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVBG040N120SC1
NVBG040N120SC1 Hakkında
NVBG040N120SC1, onsemi tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-8) paketinde sunulan bu bileşen, 56mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası işletme sıcaklığı aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama güç kaynakları, traksiyon sistemleri ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde yüksek frekans anahtarlaması ve geliştirilmiş termal performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1789 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok