Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1 Hakkında
NVBG020N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-Kanal SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. TO-263-8 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. 8.6A sürekli dren akımı (25°C'de) ve 98A kapasitesi (Tc'de) ile tasarlanmıştır. 28mOhm'luk düşük Rds(on) değeri enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüler, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 20V gate sürücü voltajı ile uyumlu olup, 220nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2943 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 468W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok