Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB6411ANT4G

MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB6411A

NVB6411ANT4G Hakkında

NVB6411ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 77A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. D²PAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 14mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve elektrik motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V kapı sürücü geriliminde kullanıma uygun olup, 217W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 72A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok