Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB6410ANT4G

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB6410A

NVB6410ANT4G Hakkında

NVB6410ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 76A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 13mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybında yüksek akım yönetimi sağlar. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında ve 188W maksimum güç dağılımında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilir. 120nC gate charge ve 4500pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansını destekler. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 76A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok