Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB60N06T4G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB60N06T4G
NVB60N06T4G Hakkında
NVB60N06T4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 81nC olup, 4V eşik gerilimi bulunmaktadır. 2.4W Ta sıcaklıkta ve 150W Tj sıcaklıkta maksimum güç dağıtımı yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok