Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB5860NT
NVB5860NT4G Hakkında
NVB5860NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 220A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 3mΩ düşük On-resistance değeri ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 283W maksimum güç dağılımına sahiptir. Yüksek hızlı anahtarlama işlemleri için 180nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitansı (10760pF @ 25V) özellikleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 283W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok