Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB5860NLT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB5860NL
NVB5860NLT4G Hakkında
NVB5860NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 220A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 283W güç dağılımında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13216 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 283W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok