Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB5426NT4G

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB5426NT

NVB5426NT4G Hakkında

NVB5426NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 120A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşenidir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 6mOhm @ 60A,10V ile düşük on-resistance değerine sahiptir. Gate charge değeri 170nC @ 10V olup hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve maksimum 215W güç tüketim kapasitesine sahip olan bileşen, motor kontrolü, elektrikli araç uygulamaları, güç kaynakları ve invertörler gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok