Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB5405NT4G
NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB5405
NVB5405NT4G Hakkında
NVB5405NT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 16.5A (Ta) / 116A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.8mΩ (10V, 40A) düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount D²Pak (TO-263AB) paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Ta), 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 32 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok