Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB190N65S3F
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB190N65S3
NVB190N65S3F Hakkında
NVB190N65S3F, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajı paketi ile anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde yer alır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 34nC gate yükü ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1605 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok