Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB190N65S3

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB190N65S3

NVB190N65S3 Hakkında

NVB190N65S3, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. D²PAK-3 (TO-263-3) paket tipinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli drain akımı ve 190mΩ maksimum on-state direncine sahiptir. ±30V gate voltajı ile kontrol edilebilen transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 34nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol, UPS sistemleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı ile PCB tasarımında kompakt yerleşim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok