Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB125N65S3

SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB125N65S3

NVB125N65S3 Hakkında

NVB125N65S3, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 24A sürekli drenaj akımı ve 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltajında çalışan transistör, ±30V maksimum gate-source voltajına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen NVB125N65S3, 181W güç disipasyonu kapasitesiyle endüstriyel sürücü kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve switched-mode power supply (SMPS) uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge değeri (46nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 590µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok