Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVB110N65S3F

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NVB110N65S3F

NVB110N65S3F Hakkında

NVB110N65S3F, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK-3 (TO-263-3) yüzey montajı paket tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 240W maksimum güç dağılımı kapasitesi nedeniyle inverter devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok