Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVB082N65S3
NVB082N65S3F Hakkında
NVB082N65S3F, onsemi tarafından üretilen 650V/40A N-Channel MOSFET transistörüdür. D2PAK-3 (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak çalışır. 82mOhm (10V, 20A'da) on-state direnci ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç dönüşüm devrelerine uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, maksimum 313W güç tüketebilir. 81nC gate yükü ve 3410pF input kapasitanı hızlı anahtar geçişleri sağlar. Arayüz gerilimi ±30V limitli olup, endüstriyel denetim, motor sürücüler ve AC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3410 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok