Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVATS5A113PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVATS5A113PLZT4G
NVATS5A113PLZT4G Hakkında
onsemi tarafından üretilen NVATS5A113PLZT4G, 60V drain-source gerilimi ve 38A sürekli dren akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. ATPAK (TO-252-3 DPak) kılıfında sunulan bu bileşen, 29.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 60W güç disipasyon kapasitesi ve ±20V maksimum gate gerilimi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | ATPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok