Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVATS5A112PLZT4G

MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVATS5A112PLZ

NVATS5A112PLZT4G Hakkında

NVATS5A112PLZT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 27A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, DPAK (TO-252) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 48W güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, 10V gate voltajında 43mΩ On-Resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 33.5nC gate charge ve 1450pF input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılan bu bileşenin durumu demode olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package DPAK/ATPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok