Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVATS5A106PLZT4G

MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVATS5A106P

NVATS5A106PLZT4G Hakkında

NVATS5A106PLZT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 33A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPAK/ATPAK paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motorun kontrolü, güç dönüştürücüleri ve yük anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Cihazın Vgs(th) değeri 2.6V olup ±20V maksimum gate-source gerilimi destekler. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK/ATPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok