Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTZS3151PT5G

MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
NTZS3151PT5G

NTZS3151PT5G Hakkında

NTZS3151PT5G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-563 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 860mA sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Maksimum 150mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, 1.8V ve 4.5V sürücü gerilimlerinde çalışmaya uyumludur. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve ters kutuplama koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. 170mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı enerji bütçesi olan tasarımlara uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 458 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-563
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok