Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTZS3151PT1H
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTZS3151
NTZS3151PT1H Hakkında
NTZS3151PT1H, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 860mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 4.5V gate geriliminde 150mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve analog anahtarlamada uygulanır. 170mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Bileşen güncel olarak discontinued statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 458 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok