Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTZS3151PT
NTZS3151PT1G Hakkında
NTZS3151PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-563 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 860mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 150mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, taşınabilir cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED kontrolü ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 170mW maksimum güç dağılımı ve 5.6nC gate charge karakteristiği ile hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 458 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok