Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTY100N10G
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTY100N10G
NTY100N10G Hakkında
NTY100N10G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 123A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-264 paketinde sunulan bu transistör, 10mOhm (Rds On) düşük iç direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 313W güç disipasyonuna dayanır. Endüstriyel kontroller, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Dikkat: Bu ürün EOL (End of Life) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-264 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok