Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTTFS6H854NLTAG

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NTTFS6H854NL

NTTFS6H854NLTAG Hakkında

NTTFS6H854NLTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında 10A (Ta) veya 41A (Tc) sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-PowerWDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 13.4mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile güç kaybını minimize eder. Geniş -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 4.5V-10V gate drive voltajı ile CMOS/TTL lojik seviyelerinden doğrudan kontrollenebilir. Düşük gate charge (17nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 902 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 45µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok