Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTTFS4H07NTAG

MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NTTFS4H07N

NTTFS4H07NTAG Hakkında

NTTFS4H07NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ve 66A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-WDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve enerji yönetimi sistemlerinde uygulanır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta), 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 771 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok