Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTTFS4C08NTAG

MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NTTFS4C08N

NTTFS4C08NTAG Hakkında

NTTFS4C08NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 5.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunarak enerji verimliliği sağlar. Gate Charge 18.2nC ve Input Capacitance 1113pF değerleri hızlı anahtarlama özelliği belirtir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Voltaj regülatörleri, LED sürücüleri, güç dağıtım uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok