Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTTFS1D2N02P1E
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E Hakkında
NTTFS1D2N02P1E, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 23A (Ta) veya 180A (Tc) sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-PQFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maksimum 1mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç anahtarlama, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V gate sürüş voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4040 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 820mW (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 934µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok