Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTTFS115P10M5
MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTTFS115P10M5
NTTFS115P10M5 Hakkında
NTTFS115P10M5, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörü olup, 100V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 120mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerWDFN yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motorun kontrol sistemleri ve gerilim regülatör tasarımlarında kullanılır. 10V drive voltage ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta), 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 637 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok