Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTTFS080N10GTAG
NTTFS080N10GTAG Hakkında
NTTFS080N10GTAG, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.1A sürekli dren akımı (Ta) ve 16A (Tc) kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 72mOhm maksimum kapalı durum direnci (Rds On) ve 8.6nC gate yükü ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, elektrik dönüştürücüler ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V drive voltajı ile standart lojik devrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560.5 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok