Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR5105PT1G

MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR5105PT

NTR5105PT1G Hakkında

NTR5105PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 60V drain-source gerilimi ve 196mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 5Ω'dur. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (1nC @ 5V) özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve düşük güçlü analog uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-236 kompakt paket tasarımı, mobil cihazlar ve IoT uygulamaları için ideal bir çözüm sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 196mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30.3 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok