Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR4171PT3G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR4171PT3G

NTR4171PT3G Hakkında

NTR4171PT3G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 2.2A kontinü drain akımı kapasitesi ile çalışır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 75mΩ on-resistance (@2.2A, 10V) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switch tasarımları ve düşük akımda çalışan kontrol devrelerinde tercih edilir. ±12V maksimum gate-source voltajı ile entegre uygulamalarına direkt bağlantı yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok