Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR4170NT3G

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR4170

NTR4170NT3G Hakkında

NTR4170NT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 2.4A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 10V gate voltajında 55mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında işletilir ve maksimum 480mW güç tüketebilir. Motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları, düşük güç amplifikatörleri ve genel amaçlı lojik seviyeleri transistör uygulamalarında kullanılır. Düşük kapasitans (432pF @ 15V Vds) ve hızlı gate şarj özellikleriyle (4.76nC @ 4.5V) anahtarlama hızını artırır. Ürün Obsolete (kullanım dışı) konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 432 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok