Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR4170NT1G
MOSFET N-CH 30V SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR4170NT
NTR4170NT1G Hakkında
NTR4170NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 2.4A sürekli drain akımı ve 55mOhm on-state direnci ile gerilim kontrol uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, düşük güç konverterler, elektrik motor kontrolleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 480mW güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 432 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 480mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok