Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR4101PT
NTR4101PT1G Hakkında
NTR4101PT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl direnç sunar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate sürüş voltajında optimal performans gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen NTR4101PT1G, anahtarlama uygulamaları, düşük güç yönetimi devreleri, ters polarite koruması ve akım kontrol uygulamalarında kullanılır. 8.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 420mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok