Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR3A30PZT1G

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR3A30P

NTR3A30PZT1G Hakkında

NTR3A30PZT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 38mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, batarya koruma sistemlerinde ve genel sinyal anahtarlamada kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1651 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok