Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR3A052PZT1G

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR3A052P

NTR3A052PZT1G Hakkında

NTR3A052PZT1G, onsemi tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 47mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 11.9nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, batarya kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1243 pF @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok