Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR2101
NTR2101PT1G Hakkında
NTR2101PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, analog anahtarlama devreleri, load switching ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 15nC gate charge ve 1173pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1173 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok