Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTR2101PT1

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NTR2101

NTR2101PT1 Hakkında

NTR2101PT1, onsemi tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 8V Drain-Source voltaj derecesi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 paket tipi sayesinde kompakt boyutlu ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. 52mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlamayı, yük kontrolü ve genel sinyal anahtarlama devreleri gibi çeşitli uygulamalarda kullanılır. 960mW maksimum güç tüketimiyle bu transistör, batarya yönetimi sistemleri ve taşınabilir cihazlar için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1173 pF @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok