Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR1P02T3
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR1P02T3
NTR1P02T3 Hakkında
NTR1P02T3, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görmek üzere kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 400mW güç tüketebilir. Pil yönetimi, enerji hasat devreleri, IoT cihazları ve düşük güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Minimum 10V gate sürüşü ile tam iletkenlik sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok