Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR1P02T1G
NTR1P02T1G Hakkında
NTR1P02T1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V gate voltajında 180mΩ) sayesinde düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. 400mW maksimum güç tüketimi ile hafif yük anahtarlama, inverter devreleri, güç yönetimi ve batarya uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama (2.5nC gate charge) ile kompakt tasarımlarda önem taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok