Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR1P02T1
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR1P02T1
NTR1P02T1 Hakkında
NTR1P02T1, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss derecelendirilmiş olup, 1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulur. 10V gate voltajında 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük statik güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Geçiş hızı 2.5nC gate charge ile karakterize edilmiştir. Anahtarlamahız elektronik uygulamaları, load switching, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılan kompakt bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok