Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR1P02LT3G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR1P02L
NTR1P02LT3G Hakkında
NTR1P02LT3G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 220mΩ (4.5V, 750mA) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 400mW güç dissipasyonu kapasitesi bulunan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, yük kontrolü, güç yönetimi devreleri ve batarya koruma sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Kompakt boyutu sayesinde alan kısıtlı tasarımlara uygun ve ±12V gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok