Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTR1P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G Hakkında
NTR1P02LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile küçük yer kaplayıcı uygulamalara uygundur. 220mOhm on-resistance değeri düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve doğru akım dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok