Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTP8G206NG
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTP8G206NG
NTP8G206NG Hakkında
NTP8G206NG, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V GaN (Gallium Nitride) tabanlı N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 17A sürekli drain akımı ve 180mΩ (8V, 11A koşullarında) on-state direnci ile karakterize edilmektedir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Yüksek gerilim uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu transistör, 9.3nC gate charge ve düşük input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. 96W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle enerji verimliliğinin önemli olduğu uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok