Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTP8G202NG
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTP8G202NG
NTP8G202NG Hakkında
NTP8G202NG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel GaNFET (Gallium Nitride FET) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 600V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. GaN teknolojisinin sağladığı yüksek hızlı anahtarlama ve ısıl verimlilik özellikleri sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve RF amplifikatörlerinde kullanılmaktadır. 65W güç disipasyonu kapasitesi ile -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 8V sürücü geriliminde optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.5A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok