Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTP5860NG

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NTP5860

NTP5860NG Hakkında

NTP5860NG, Rochester Electronics tarafından üretilen single N-channel power MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltajı ve 220A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sağlar. 283W maksimum güç dağıtımı ve -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile uygulanabilirliği arttırır. Güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve ters kutup koruması gibi yüksek akım gerektiren devrelerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10760 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok