Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMYS3D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NTMYS3D3N06CLT

NTMYS3D3N06CLTWG Hakkında

NTMYS3D3N06CLTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drain akımı (Ta) / 133A (Tc) kapasitesine sahiptir. SOT-1023 LFPAK4 paketinde sunulan bu bileşen, 3mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 40.7nC ve input capacitance 2880pF olarak tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 3.9W (Ta) veya 100W (Tc) güç saçması yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım şalter devreleri için yaygın olarak kullanılır. ±20V Vgs toleransı ile güvenli gate kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 133A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok